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MiniLab-60S PVD 薄膜沉積系統(tǒng)

應(yīng)用領(lǐng)域:

系統(tǒng)可用于開發(fā)納米級的單層及多層功能膜和復(fù)合膜 , 可鍍金屬、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜等。

                    MiniLab 60PVD 薄膜沉積系統(tǒng).JPG

  四靶共聚焦濺射微信圖片_20220323161320.jpg

基本配置:

真空腔室: D 型圓筒形,尺寸約 ф450×H450mm,前開門結(jié)構(gòu);采用鉸鏈、鋁制前門,手動,上下 2 個(gè)杠桿把手,膠圈密封, 腔體內(nèi)表面采用電解拋光處理;外表面采用拉絲拋光,無擦傷及劃痕。 

抽氣系統(tǒng):采用復(fù)合分子泵 + 直聯(lián)旋片泵作為真空抽氣系統(tǒng); 主抽泵:分子泵抽速≥ 1200L/S,氮?dú)鈮嚎s比≥ 109 ; 前級泵:VRD-30 機(jī)械泵及電磁閥,抽速:8L/S 主抽閥: CCD-200 超高真空電動插板閥 

* 真空系統(tǒng)可以升級為進(jìn)口分子泵和渦旋干泵。 

真空測量: 數(shù)顯復(fù)合真空計(jì):兩低一高全量程數(shù)顯復(fù)合真空計(jì); 自動恒壓采用進(jìn)口薄膜壓強(qiáng)真空規(guī)測量,范圍:13Pa-0.013Pa(可選擇配置) 

* 真空測量可以升級為進(jìn)口全量程冷陰極真空計(jì) 

極限真空:<5×10-5Pa 

恢復(fù)真空:<6.7×10-4Pa(< 45 min) 

磁控濺射靶:(最多四支 2&3 英寸磁控濺射靶)磁控濺射靶磁路模塊化設(shè)計(jì);磁控靶可手動調(diào)節(jié)濺射角度,靶與基片的距 離可調(diào);其中一個(gè)靶位可濺射磁性材料(如鎳或鐵等)靶材大小為直徑 50.8mm,厚度≤ 5mm,靶材利用率超過 40% 

鍍膜方式:由下往上濺鍍或從上往下濺射,可依需求采用 Confocal(共焦)或 Face-to-Face(面對面); 

濺射電源(可選配置): 射頻電源: 功率 500W,輸出頻率:13.56MHz,全自動匹配 數(shù)量:1 直流濺射電源:最大輸出功率:500W;輸出電壓:0 -800V 可調(diào) 數(shù)量:2  

工藝氣路:三路質(zhì)量流量計(jì)控制的氣路(ArO2N2 )等 

樣品臺:可容納樣品最大尺寸:6 樣品托一個(gè) , 配擋板, 轉(zhuǎn)速 0-30rpm 連續(xù)可調(diào) ; 樣品可加熱控溫, 溫度范圍:室溫 -600,控溫精度 ±0.5; 

控制單元:15 英寸觸摸屏 +PLC 控制(可選手動按鈕)

選擇配置:

樣品臺可水冷,采用直接式水冷形式,水冷不控溫 可選進(jìn)口濺射電源 

磁控靶可選用進(jìn)口知名品牌 

全量程真空計(jì) (Inficon) 

電容式隔膜真空計(jì) ( 測量濺射工作壓力

樣品托 : 不銹鋼、鋁或銅,基片盤上有螺紋孔

系統(tǒng)要求標(biāo)準(zhǔn)配置:

工藝氣體 :25psi,純度 99.99% 以上 

工作氣體 : 干燥壓縮空氣、氮?dú)?/span> 

: 三相 380V, 50Hz, 32A 

:18-25 , 6L/min,壓力 <0.4MPa